G-31D6型高精密光刻機

産品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生産。

主要構成 本設備爲闆闆對準雙面曝光<span style="font-family:;" "="">

主要由雙目視場CCD顯微顯示系統、二台6"LED專用曝光頭、PLC電控系統、高精度對準工作台、Z軸升降機構、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、二級防震工作台等組成。

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曝光頭部件圖

CCD顯微系統|X、Y、Q對準工作台

主要功能特點

1.适用範圍廣

适用于150×150mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結構穩定

Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密着機構，真空吸版，防粘片機構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。

4. 可靠性高

采用進口（日本産）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

5. 特設功能

除标準承片台外，還可以爲用戶定制專用承片台，來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指标

1、曝光類型：版版對準雙面曝光

2、曝光面積：150×150mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3.5%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可調；

5、照明不均勻性改爲≤3%；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工作面溫度：≤30℃

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度爲線寬的10倍左右)

11、曝光模式：雙面同時曝光

12、對準範圍：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋轉範圍：Q向旋轉調節≤±5°

15、顯微系統：雙視場CCD系統，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附6"方形掩闆，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：适用于Φ5"mm圓形基片（或3"×3"mm方形基片），基片厚度≤5mm。